Teniendo en cuenta el caso de Metal Oxide Semiconductor, el libro de Streetman dice que si el potencial de contacto para un semiconductor de tipo n supera el cero, debería convertirse en una región de agotamiento, pero ¿POR QUÉ? Explica la direc...
Cuando un diodo está polarizado hacia delante, la mayoría de los electrones portadores se mueven hacia la región p desde la región n, ahora mi pregunta es cómo existe la neutralidad cuando los electrones móviles ingresan en la región de las impu...
Tengo un Sonos Play: 3, que ya no tiene garantía. Lo desmonté para encontrar que tenía la falla bien documentada con un condensador quemado. Sin embargo, también hay daños en uno de los diodos de montaje en superficie. He obtenido algunos nuevos...
Hemos encontrado la característica Ic-Vge (corriente de colector vs voltaje de compuerta-emisor) de un dispositivo IGBT como se muestra a continuación en un valor alto de Vce (voltaje de colector-emisor) (aquí 20V) de la hoja de datos (relaciona...
Estudié que las regiones p y n fuera de las capas de agotamiento son neutrales y asumí un dopaje uniforme por lo que la condición de neutralidad está presente.
Por qué en la mayoría de los artículos que leo, mencionan que estas regiones son "cas...
Realización de capacitancia: características de voltaje a diferentes temperaturas. Cuanto mayor sea la temperatura, mayor será la capacitancia medida para el mismo dispositivo (capacitor). Hasta donde se sabe, esto no tiene ningún significado cu...
Sé que en los IGBT durante la operación, los parámetros Ic (corriente de colector) y Vce (voltaje de colector-emisor) dependen de Tj (temperatura de unión) y Vge (voltaje de puerta-emisor). ¿Hay algo más de lo que Ic y Vce dependan de ellos? ¿Ha...
Podré encontrar referencias para describir la capa de agotamiento en un diodo de potencia bajo polarización inversa y la clasificación consiguiente de diodos No Punch through y Punch-through. Pero no pude encontrar una explicación satisfactor...
[Fuente de la imagen: Electrónica de potencia - Aplicaciones y diseño de convertidores por Ned Mohan]
Tomemos el lado p +. Dado que el ánodo tiene un potencial más alto (sesgo hacia adelante), ¿no deberían los electrones (minoría) prese...
En la figura a continuación, presentada en la hoja de datos del fabricante, puede ver la curva Ic-Vge de un dispositivo IGBT. Como se mencionó, se ha dibujado en Vce = 20V. ¿Qué significa esta igualdad? ¿Podemos tener un voltaje tan alto para el...