¿Debería ser válida la ley de acción en masa para superficies de semiconductores cargados?

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Teniendo en cuenta el caso de Metal Oxide Semiconductor, el libro de Streetman dice que si el potencial de contacto para un semiconductor de tipo n supera el cero, debería convertirse en una región de agotamiento, pero ¿POR QUÉ? Explica la dirección del campo, lo que demuestra la disponibilidad de los núcleos descubiertos, pero ¿qué pasa con los cargos gratuitos en función de la distancia entre el nivel intrínseco de Fermi y el nivel de Fermi? presente?

    
pregunta SUNITA GUPTA

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