Sé que en los IGBT durante la operación, los parámetros Ic (corriente de colector) y Vce (voltaje de colector-emisor) dependen de Tj (temperatura de unión) y Vge (voltaje de puerta-emisor). ¿Hay algo más de lo que Ic y Vce dependan de ellos? ¿Hay alguna fórmula para estos dos parámetros basados en Tj, Vge, ...?
Obviamente quieres un modelo basado en física para IGBTs. La mayoría de nosotros estamos contentos con mucho menos. Las búsquedas en la web muestran que existe al menos el modelo de física IGBT de Allen Hefner. Aquí hay un enlace a un trabajo académico que lo aplica:
Comprueba si puedes entenderlo.
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