Existen estas fórmulas que utilizamos para determinar el ancho de carga de espacio de una unión pn hacia adelante sesgada por Veb y phi-oe representa el potencial incorporado.
Ahora, ¿qué sucede con el ancho de carga de espacio cuando V...
Estoy aprendiendo sobre la construcción de azulejos Peltier de Wikpedia. Sin embargo, algunas de las declaraciones en el artículo no son del todo claras.
Aquí está el extracto :
Se utilizan dos semiconductores únicos, uno de tipo n y...
La ecuación J = nqv donde n es una concentración de electrones o huecos, v es la velocidad de deriva.también, v = uE donde u-movilidad, E es un campo eléctrico.A medida que la tensión de polarización aumenta, a su vez, aumenta la El campo eléctr...
Tengo curiosidad acerca de mi comportamiento V-meter. A veces, cuando mido la tensión, la tensión mostrada por el V-metro está disminuyendo lentamente hasta que se estabiliza después de unos segundos. Y lo mismo para la corriente, excepto que la...
Estoy intentando averiguar si el aumento de la corriente aumenta el brillo de un LED.
Estoy bastante seguro de que este es el caso ahora que he investigado la física de la teoría de bandas semiconductoras y las uniones p-n.
Sin embargo, toda...
Mientras me preparaba para un examen, encontré el siguiente problema, sin saber cómo resolverlo. Se dan los siguientes valores para un capacitor completamente cargado: \ $ V_ {in} = 2V, V_ {C} = 1V, V_ {th} = 0.5V \ $.
¿Cuál es la corriente...
Como ya sabemos, para un semiconductor intrínseco, la relación entre la tasa de recombinación (r) y la concentración de portadora intrínseca (n) se da de la siguiente manera:
$$ r = a \ cdot n ^ 2 $$
donde a: coeficiente de recombinaci...
Si entendí diagrama JFET correctamente, la unión p-n solo se usa para aislar la puerta. Usando el mismo principio, ¿sería posible construir un MOSFET sin ninguna unión, i. mi. un solo transistor de tipo semiconductor?