¿Es posible crear un MOSFET (modo de agotamiento) utilizando solo un solo tipo de semiconductor?

La respuesta a su pregunta es sí, se pueden construir mosfets en modo de agotamiento de tipo N o P. Si realiza una búsqueda en transistores TFT, encontrará cómo se utilizan en las pantallas LCD. Esto es de un libro de texto de mis dispositivos de estado sólido, que es muy antiguo;

Por lo general, los mosfets en modo de agotamiento se construyen sobre un sustrato del tipo de material opuesto. Esto se debe a que es fácil de hacer con los métodos de fabricación actuales. El sustrato no es necesario para la oportunidad del dispositivo.

  

sería posible construir un MOSFET sin unión alguna, i.   mi. un solo transistor de tipo semiconductor?

Lo anterior es para un JFET de canal P como se vincula en la pregunta.

La región de la fuente de la compuerta debe formar una capa de agotamiento para que el canal P pueda ser cortado progresivamente, lo que restringe el flujo de corriente desde la fuente hasta el drenaje. Sin el material de tipo N en la compuerta, no se puede formar una región de agotamiento, por lo tanto, no puede controlar la corriente de drenaje por medio de la fuerza bruta; alejando la corriente de la fuente (a través de la puerta) que de otra manera llegaría al drenaje.

Eso ya no es un transistor por lo que veo.

sería posible construir un MOSFET sin unión en absoluto

No, porque es la unión PN con polarización inversa que proporciona el aislamiento necesario para apagar el dispositivo, lo que significa que no puede fluir ninguna corriente.

Una sola barra de semiconductores de tipo N o P en general se comporta como una resistencia . Ciertos tipos de resistencias en chip se hacen de esta manera.