Existen estas fórmulas que utilizamos para determinar el ancho de carga de espacio de una unión pn hacia adelante sesgada por Veb y phi-oe representa el potencial incorporado.
Ahora, ¿qué sucede con el ancho de carga de espacio cuando Veb es mayor en magnitud que el potencial incorporado?
Piense: ¿qué significa para un modelo de diodo simplista, cuando aplicamos un voltaje que es exactamente igual al potencial de empalme incorporado? El potencial de la barrera neta iría a cero. En ese caso, el diodo se convertiría en un cortocircuito ideal, e incluso para un voltaje infinitamente más alto, la corriente iría hasta el infinito.
Entonces, lo que realmente sucede con los grandes valores de Veb es que debemos dejar de usar la ecuación simplificada y, en cambio, cambiar a un modelo de diodo más complicado, uno que incorpore densidad de corriente, la resistividad en masa de las regiones n y p , y tal vez efectos de calentamiento de la unión.
Pregunta similar: ¿qué sucede cuando conectamos un cable a través de una fuente de alimentación y luego reducimos la resistividad del cable a menos que cero? (Obviamente, hemos logrado incluso más divisiones entre cero que ¡Incluso la división convencional por cero puede producir!) O mejor aún: si aplicamos un alto voltaje a un LED ideal, ¿qué tipo de luz saldría? Menos mal, demasiado complejo para que pueda incluso imaginar .
Lea otras preguntas en las etiquetas semiconductors solid-state-devices