Como ya sabemos, para un semiconductor intrínseco, la relación entre la tasa de recombinación (r) y la concentración de portadora intrínseca (n) se da de la siguiente manera:
$$ r = a \ cdot n ^ 2 $$
donde a: coeficiente de recombinación.
Mi pregunta es si la tasa de recombinación (r) aumentará o disminuirá o permanecerá igual con el dopaje.
Enprimerlugar,pienseenelsemiconductorintrínseco.Cuandoelequilibriotérmicosatisfaceelexcesodeagujerosyloselectronessoniguales.$$n=p$$
Piensaenloselectronesenlabandadeconducción.Quierenrecombinarseconagujerosparadisminuirsusestadosdeenergía.
Cuando agrega donantes al semiconductor, ahora hay más electrones que desean recombinarse con agujeros fijos. Por lo tanto, la tasa de recombinación debe ser mayor.
Se toman todas las cifras. Middle East Technical University EE212 Notas de la Conferencia del Prof. Dr. Cengiz Beşikçi
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