Hemos encontrado la característica Ic-Vge (corriente de colector vs voltaje de compuerta-emisor) de un dispositivo IGBT como se muestra a continuación en un valor alto de Vce (voltaje de colector-emisor) (aquí 20V) de la hoja de datos (relacionada con el IGBT Dispositivo con el número de pieza IFS75B12N3E4_B31). Sin embargo, quiero estudiar en condiciones normales donde Vce es inferior a 4V. ¿Podemos extender la característica Ic-Vge de un voltaje Vce tan alto a uno bajo?