Mi libro de texto dice que cuando se unen una placa de semiconductores de tipo P y otra placa de semiconductores de tipo N, no pueden formar una unión porque no importa lo suave que sea la superficie, siempre habrá algunas irregularidades pres...
Soy un estudiante de ingeniería informática que se prepara para los circuitos analógicos en la primavera. Mi libro de texto El diseño de circuitos microelectrónicos de Jaeger utiliza una aproximación de la densidad del portador intrínseco para s...
En el semiconductor intrínseco, cuando un electrón se mueve de la banda de valencia a la banda de conducción, se forma un agujero en lugar de ese electrón. ¿Por qué no sucede eso en el caso de semiconductores de tipo n cuando el quinto electrón...
Si se aplica una tensión positiva V en un MOSCap, el ancho de la zona de agotamiento aumentará hasta que se alcance el umbral de voltaje. Si la tensión aplicada está por encima del voltaje de umbral, la capa de agotamiento no aumentará de ancho....
Cuando los electrones libres del lado P se desvían hacia el lado N, constituyen una corriente de deriva. Pero se generan más electrones libres en el lado P debido a la energía térmica de la temperatura, por lo que nuevamente se desvía hacia el l...
Mi pregunta se relaciona con la física de semiconductores. La relación entre la energía E y wavenumber k para la El modelo Kronig-Penny tiene este aspecto, donde a es el período de la función potencial:
Me refiero a una declarac...
Estoy confundido acerca de cómo la orientación de los planos primarios y secundarios representa la orientación del cristal del semiconductor. Miré este sitio mencionado en esta respuesta :
El plano primario tiene una orientación de cris...
Tasa de generación
En un semiconductor intrínseco, la tasa de generación debida a la energía térmica se da a menudo como
$$ G_ {th} \ propto \ exp \ left (- \ frac {E_G} {k \ cdot T} \ right), \ tag {1} \ label {1} $$
con el intervalo de ba...
Recientemente leí en un libro que en 2010, se desarrollaron transistores sin empalme.
No puedo entender cómo se puede usar un transistor sin empalme para amplificar la corriente o el voltaje con cualquier empalme o, más bien, ¿cómo funciona?...
Quería saber la relación entre la brecha de banda (Eg) de las regiones p / n en un diodo y el potencial incorporado en equilibrio.
Mi intuición dice que Eg = e * Vo. Hice un pequeño cálculo para el silicio en T = 300K. Tengo la relación para...