Para la unión p-i-n con la región intrínseca d, debo responder qué sucede cuando d es muy grande.
Entonces, desde una lógica simple, creo que en algún momento no habrá difusión de portadoras de carga de tipo p a tipo n y viceversa, y creo que se relacionan con la longitud de difusión, pero la longitud de difusión es más de 100 μm, de modo que no puede ser la razón.
¿Alguna idea?
Tenga en cuenta que no existe ningún material intrínseco verdaderamente perfecto con impurezas de donante y aceptor perfectamente equilibradas. Cualquier unión p-i-n real es realmente una unión \ $ p-p ^ - n \ $ o \ $ p-n ^ - n \ $.
Por lo tanto, si prolongas demasiado la región i, terminarás efectivamente con un cruce \ $ pn ^ - \ $ o un cruce \ $ p ^ - n \ $ que por casualidad tiene un dopado más fuerte. Región alejada de la unión en el lado dopado inferior.
Dado que el silicio tiene un desglose de 10V a 100V por micrón, espero que esto aumente el voltaje de la avalancha según la brecha, pero también aumente la vida útil de la difusión y la probabilidad de recolección como en las células solares.
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