Simplemente me pregunto cómo con las mediciones de CC se podría medir una corriente de saturación de diodos y el factor de coeficiente de emisión N. Estaba pensando en un circuito de CC básico que varía las mediciones de voltaje de toma de voltaje, luego dibuje el VI y luego intente ajustar la ecuación de diodo al gráfico?
Dos medidas deberían ser suficientes para el modelo básico de Shockley.
Mida la corriente con un sesgo inverso bastante grande, para darle Is. (por ejemplo, -20V para un 1N4148)
Mida el voltaje directo con una corriente directa bastante grande (por ejemplo, 20 mA para un 1N4148) y calcule el coeficiente de emisión:
\ $ n = \ frac {V_F} {V_T \ cdot ln (I / I_S)} \ $
Donde
Vf se mide la tensión directa
I es la prueba actual
Es la corriente de saturación del paso 1
Vt es la tensión térmica calculada a partir de kT / q, donde T es la temperatura de la unión en Kelvin, q es la carga de un electrón y k es la constante de Boltzmann.
Los diodos muy pequeños (o diodos más grandes a alta corriente) tendrán un término resistivo significativo (no modelado por Shockley) que puede volverse significativo, en cuyo caso puede trazar n vs. I en un rango para eliminar ese efecto (o Hacer al menos una medida más y eliminarla matemáticamente.
Iba a sugerir la medición de Vf en varios pasos de tipo actual con década. 100nA, 1uA, 10uA, 100uA ... a corrientes más altas, hay un término resistivo que se introduce. Y trazar eso contra la ecuación de diodo. (En corrientes más altas, el diodo también puede calentarse).
Nunca he tenido suerte intentando medir el Is al revés, quiero decir, en teoría, debería ser independiente del voltaje inverso ... y luego, en algún momento, el diodo se descompone.
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