Lógica mosfet para cambiar la batería del camión 12v

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Tengo un proyecto que estoy tratando de armar. Sin embargo, mi entendimiento es deficiente. ¡Realmente agradecería alguna ayuda para ayudarme a comprender lo que me estoy perdiendo!

El circuito sería un nivel lógico que sería controlado por un microcontrolador. Así 3.3v en la puerta. Se colocará entre la batería y el arnés de cableado de encendido. Esencialmente, estaría rompiendo un cable en el arnés. Que se conectan a la columna de dirección, e insertando el mosfet / circuito. por lo tanto, cuando se arranca el automóvil, si se ingresa el pin correcto, entonces el mosfet completará el circuito del arnés de cableado y permitirá que pase el 12v.

A mi entender hasta ahora, necesitaría un mosfet de nivel lógico que tenga un nivel bajo de rds (activado) que se aplique cuando el VGS sea 3.3 o inferior.

Si lo anterior fuera cierto, y todo lo que tenía que hacer era aplicar un pequeño 3.3v desde la MCU y eso permitiría que 12v pasen a través del drenaje / fuente.

¡Parece simple! Siento que hay más y que me falta algo. Alguien podría y quiere que alguien me señale en la dirección correcta o ayude a descomponerlo, me corrija o me explique para comprenderme mejor. ¡Lo apreciaría muchísimo!

EDITAR: ¡Estoy tratando de entender mejor cómo funcionan estas cosas! Si aplico 3.3v limitados de MCU a la compuerta, ¿entonces eso permitiría que 12v pasen del drenaje a la fuente? ¿Necesito acomodar algo más? ¿Algo así como voltaje de fuga, voltaje de retroceso, etc.?

Esquema:

enlace

    
pregunta Aguevara

1 respuesta

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Estás en el camino correcto y se podría usar un MOSFET.

El voltaje de la puerta a la fuente (Vgs) debe ser mayor que el umbral especificado por la hoja de datos para realizar desde el drenaje a la fuente (suponiendo que esté utilizando un MOSFET de canal N). Este umbral se mostrará como Vgs (th).

A continuación, se muestra que el MOSFET de canal N controla el lado alto de R (su carga, en este caso el 'volante'). Esto se basa en su dibujo, que muestra un MOSFET de canal N, con la corriente que fluye hacia la columna de dirección, Drain-to-Source.

simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab

Esto podría funcionar, pero el voltaje aplicado a la compuerta tendría que exceder el umbral de voltaje agregado a la caída de voltaje en R:

Vg > Vgs (th) + I (R)

En su caso, Vg es suministrado por Arduino. Tener un MOSFET de canal N en el lado alto probablemente no funcionará.

Solución:

Si bien puede usar un MOSFET de canal P en el lado alto, es mucho más fácil usar un MOSFET de canal N en el lado bajo, que se muestra a continuación:

simular este circuito

Su fórmula de voltaje de compuerta requerida ahora se convierte en:

Vg > Vgs (th)

Alternativamente, también puedes usar un relé de estado sólido.

    
respondido por el Daniel

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