Modelando un fotomultiplicador en LTspice con componentes básicos

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Estoy trabajando con el fotomultiplicador SensL MicroFJ-60035-TSV. Un enlace al producto se puede encontrar a continuación:

enlace

Estoy intentando desarrollar modelos con él usando LTspice para modelar un circuito amplificador de primera etapa con él, pero no estoy seguro de cómo modelarlo mejor con componentes básicos. En este momento, estoy usando el siguiente circuito como modelo; Traté de modelarlo alrededor de uno para un diodo, ya que esencialmente funciona de manera similar a uno.

simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab

La cuestión es que nunca antes había trabajado con fotomultiplicadores, así que realmente no entiendo de qué se trata la corriente oscura, el voltaje de ruptura, etc. ¿Es esta la mejor manera de modelar aproximadamente un fotomultiplicador? ¿Qué puedo hacer para que el modelo sea más preciso dadas las especificaciones?

ACTUALIZACIÓN: Investigué un poco y encontré un modelo SPICE propuesto para fotomultiplicadores de silicio. El modelo se puede encontrar en el siguiente enlace:

enlace

Este parece ser un modelo útil con el que puedo modelar mis diseños de forma aproximada, pero no sé cómo modelar los diversos componentes solo a partir de la hoja de datos. Componentes como la resistencia de enfriamiento y el condensador, la capacitancia de la unión y la resistencia interna, ¿cómo podemos extrapolar estos valores de la hoja de datos?

    
pregunta user101402

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Considere el PM como un conjunto de zeners con un Vbr operado justo por encima del umbral para aumentar la ganancia de fotones pero también el ruido térmico dependiendo del área del chip y la corriente, por lo tanto, Vbr + V.

Puede estimar todas las ESR internas a partir de los contantes de tiempo y la relación de delta V / delta I sobre Vbr. El umbral es una corriente muy baja uA, por lo tanto, una disminución lenta y una ESR alta, mientras que el tiempo de ataque es rápido debido a la baja ESR en Zener Vbr + V más la corriente de fotones * ESR.

Es muy diferente de un panel fotovoltaico que se opera por debajo de Vbr, que es el Voc sin carga y el MPT es de alrededor del 80% del Voc. La PM se opera justo por encima del umbral, donde el tiempo de respuesta es lo suficientemente rápido para la excitación y la descomposición. También es muy diferente de à Si Si PD operado por debajo de Vbr con un amplificador TIA de baja impedancia.

Cada elemento tiene una constante de diodo RC con un ataque rápido, decaimiento lento determinado por las especificaciones dadas. Incluya la salida rápida con transformador de inversión de fase para cancelar el flujo de CC común y obtener la respuesta óptica diferencial de alta frecuencia.

Para obtener ganancias, utiliza cualquier amplificador ideal vs Vbr

La capacitancia del ánodo aumenta en área, por ejemplo, 1000 pF para 3 mm y 4000 pF para 6 mm. Todos los diodos se reducen a la capacitancia más baja al voltaje inverso más alto, aquí el zener como el voltaje Vbr y el C más alto a 0 V. Pero ahora la conductancia de las cualidades similares a Zener se vuelve baja para una sensibilidad fotográfica rápida pero una ganancia alta del multiplicador con más Vr. o Vbr + V. No es como un zener normal para conducir grandes corrientes.

PuedeestimarlosvaloresdeladiafoníaCyagregarlosalmodeloentreel0,1%yel1%delaCprincipal.

ObtienesqueRdeIdcaumentade2.5a5VporencimadeVbryCdetiemposdedecaimiento.luegoC2de2.5a5V(+Vbr)enunaescaladeregistroparainterferencia.

Porlotanto,puedeprobarelBWdeseñalpequeñayeltiempoderespuestadepulsodeseñalgrandeparaobtenerlomismoquelasespecificacionesutilizandounacorrienteconmutadaparasimularlosnivelesdefotoneseintentarobtenerlomismoquelasespecificaciones.

PrefieroFalstadsobreSpice,perosoloporquesécómohacerlomásrápido.peroVspicepuedemanejardiseñoscomplejosmásgrandes.

ref enlace

    
respondido por el Tony EE rocketscientist

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