La página de Wikipedia sobre silicon-germanium indica que AMD e IBM trabajaron en un SiGe de 65nm proceso. Desafortunadamente, la fuente ya no está disponible y no puedo encontrar más información sobre el proceso SiGe de 65 nm.
Sé que TSMC proporciona acceso al proceso SiGe de 90 nm. ¿Existe un proceso SiGe de 65 nm?
¿Existe un proceso de disponible comercialmente de 65nm SiGe? Sorta ...
ST Microelectronics parece tener un proceso BiCMOS de 55 nm con un dispositivo de 320 GHz ft.
GlobalFoundries tiene un proceso SiGe de 90 nm con un dispositivo de 310 GHz .
No pude encontrar rápidamente información sobre el proceso de TSMC, pero esperaría valores en el mismo estadio.
Un poco de historia, IBM extendió sus servicios de fundición y los vendió a GlobalFoundries. El "punto de venta" de SiGe BJT es que puede agregar un NPN de alto rendimiento (y algunas veces PNP) a un proceso CMOS de alta densidad. El tamaño se refiere al proceso CMOS, y los dispositivos NPN reales serán mucho más grandes.
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