Mirando las hojas de datos de Diodes Inc., tengo problemas para seguir los cálculos de límite de disipación de energía para sus MOSFETS.
Por ejemplo, para DMG4496SSS enlace
Especifican en la página 1
- I_D (max) = 8A @ V_GS = 4.5V (con un R_DS (encendido) = 0.029 ohm)
Pero luego la hoja de datos también aparece en la página 2:
- Disipación de potencia P_D = 1.42 W
- Temperatura de unión T_J = 150 ° C
- Resistencia térmica R_ \ theta = 88.49 K / W
Y en la página 3:
- R_DS (en) @ V_GS = 4.5V, I_DS = 8A aproximadamente 0.024 ohm
Para mí, esto parece un gran lío:
- P = 0.029 ohm * (8A) ^ 2 = 1.86 W que es significativamente más grande que la disipación de potencia permitida de P_D = 1.42 W de la página 2
- incluso con el valor R_DS (encendido) = 0.024 ohmios de la página 3, P = 1.54 con aún es mayor que la disipación de potencia permitida
- las cifras de disipación de potencia permitidas son al menos autoconsistentes: P_D = (T_J-T_A) / R_ \ theta = (150 ° C-25K) / 88.49 K / W = 1.41 W
- Sin embargo, los gráficos R_DS (on) vs V_GS y I_D vs V_DS parecen ser inconsistentes: mirando el caso de V_GS = 3.5 V: En la figura 1, la tangente en el punto (V_DS = 0.5V, I_D = 10A ) es de aproximadamente 6A / 0.5V, lo que parece implicar un R_DS (activado) = 0.5V / 6A = 0.083 ohm. Mirando a la fig. 3 sin embargo, el R_DS (encendido) es más como 0.048 ohm a 10A.
¿Cómo usar las hojas de datos de Diodes Inc?
Entonces, dada la hoja de datos, ¿cómo se calcularía I_DS (máx) si se proporcionaran algunos V_GS y algunos V_DS? P.ej. V_GS = 6V y V_DS = 12V.