Si se trata de un análisis de CC, entonces puede ignorar todas las redes con condensadores, y termina con un divisor de voltaje compuesto de R \ $ _ {G2} \ $, R \ $ _ {G1} \ $, R \ $ _ {GD} \ $, y R \ $ _ {D} \ $.
R \ $ _ {DS} \ $ es la resistencia entre el drenaje y la fuente; cuando el MOSFET está apagado, es muy alto, cuando el MOSFET está encendido o saturado, es muy bajo, el valor máximo generalmente se da en una hoja de datos como R \ $ _ {DS} \ $ (on).
El voltaje en el drenaje es entonces:
$$ V_ {d} = V_ {dd} \ space \ times \ space \ frac {R_ {D}} {(\ frac {(R_ {G2} + R_ {G1} + R_ {GD}) \ espacio \ tiempos \ espacio R_ {DS}} {R_ {G2} + R_ {G1} + R_ {GD} + R_ {DS}})} $$
Dado que el voltaje en la fuente es V \ $ _ {dd} \ $, entonces el voltaje V \ $ _ {sd} \ $ es:
$$ V_ {sd} = V_ {dd} - (V_ {dd} \ space \ times \ space \ frac {R_ {D}} {(\ frac {(R_ {G2} + R_ {G1} + R_ {GD}) \ espacio \ veces \ espacio R_ {DS}} {R_ {G2} + R_ {G1} + R_ {GD} + R_ {DS}})}) $$
$$ \ espacio = V_ {dd} \ espacio \ veces \ espacio (1 - \ frac {R_ {D}} {(\ frac {(R_ {G2} + R_ {G1} + R_ {GD}) \ espacio \ tiempos \ espacio R_ {DS}} {R_ {G2} + R_ {G1} + R_ {GD} + R_ {DS}})}) $$