Estoy confundido por la hoja de datos de FQB55N10 :
Carga total típica de la puerta de 75nC = carga típica de la puerta-fuente de 13nC + carga típica de la compuerta-drenaje de 36nC + carga típica de la puerta de la 26nC de alguna otra fuente misteriosa, a saber ... ¿qué? Este es un dispositivo de tres terminales.
Es solo una cuestión de cómo se definen esos cargos. La Figura 12 en la hoja de datos que vinculó lo explica todo con claridad
Aquellosquefaltan25nComenossonsolouna"recarga" de la puerta después de que Miller platin termine
Un MOSFET se modela como tres condensadores como se muestra a continuación.
Como tal, la capacitancia total es bastante más complicada que solo la suma de Cgs y Cgd.
De hecho, en algunos MOSFETS hay otras capacidades debido a la construcción.
En última instancia, la capacitancia también depende del estado y los voltajes involucrados.