Al intentar determinar si un MOSFET es NMOS, PMOS, o en concentración intrínseca, suponiendo que el Drain y el Gate están dopados a Nd = X y el volumen se dopa a Na = Y, me confundo un poco.
Mi pensamiento inicial es que Nd = Na, independient...
Schematics
Necesito encontrar la ganancia máxima posible para este circuito de cascode de NMOS.
Aquíestánloss.s.modelo: TrabajoUséelanálisisdematriznodal(labaseesKCL)paraencontrarlaganancia( \ $ A_v \ $ ):
$$
\ begin {bmatrix}
...
Actualmente estoy implementando un Half-Bridge utilizando un IRF520PBF Enlace a la hoja de datos) para la parte inferior del puente y actualmente estoy buscando un PMOSFET para la parte superior del puente (soy consciente de que podría usar el...
Durante mis conferencias en el aula, me encontré con esta duda de por qué la transconductancia ( \ $ g_m \ $ ) de un BJT es mayor que la de un MOSFET, es decir :
$$ g_ {m (BJT)} > g_ {m (MOSFET)} $$
Sería muy útil si alguien pudiera a...
Cuando dos MOSFETS de canal N están conectados en serie, con conexiones de compuerta comunes, ¿cómo puedo analizar este circuito para determinar la identificación a través de estos MOSFETS, como una función de Vgs y Vds?
simular este circu...
Estoy tratando de entender el diseño de Arduino.
LM358 y FDN306P están conectados entre la entrada USB y la fuente principal. En presencia de USB y suministro primario, la mega placa Arduino está extrayendo corriente de ambas fuentes. Si s...
A continuación se muestra un espejo de corriente básico:
Larelacióndecargaycorrientedereferenciaseveafectadaporlamodulacióndelalongituddelcanal: Paracancelarlosefectosdelamodulacióndelalongituddelcanal,vds1yvds2debenseriguales.Senecesitaunes...
Tengo un esquema para medir el voltaje de la batería usando un nMosfet (activado por un nivel alto de GPIO). El voltaje se mide en la sonda (ver imagen).
¿Puede decirme el propósito del condensador C1 sobre el drenaje y cómo se determina su v...
Estoy interesado en crear una configuración simple pero sensible que me permita detectar pequeños cambios potenciales (adsorción de iones) en la superficie de la puerta de un MOSFET, lo que comúnmente se conoce como una puerta extendida FET....