Aumentar la corriente LDO con PNP

El voltaje de entrada deberá exceder la salida por el Vbe del transistor + VCE (sat) + V (desconexión) [LDO]. En la mayoría de las condiciones, eso es aproximadamente 1 V más el voltaje de deserción de LDO. Si puede vivir con la V (in) agregada, entonces funcionará el impulso externo.

El circuito de refuerzo se encenderá a aproximadamente 0.6V / R1. Si desea activar el refuerzo a 30 mA, entonces la resistencia es de 0.6 / 0.03 = 20 ohms. Ese 30 mA (en su mayoría) todavía pasará a través del regulador . La mayoría se refiere al hecho de que la corriente de base del transistor debe suministrarse desde la entrada, por lo que la salida proporcionada desde el LDO es de 30 mA - Ib. Toda la corriente otra se suministra desde el transistor de refuerzo externo.

El voltaje real al que se aplica el refuerzo variará significativamente con el exceso de temperatura debido al -2.1mV / Kelvin coeficiente de temperatura de la unión base-emisor.

La corriente de salida real depende de la carga. Como este circuito no tiene límite de corriente , deberá asegurarse de que el transistor pueda manejar la corriente de carga esperada.

Asegúrese de elegir una resistencia con una potencia nominal adecuada (en este caso, un mínimo de 30 mW: elegiría un dispositivo de 100 mW como mínimo para esta función).

HTH

R1 limitaría la corriente al HT71XX. Cualquier exceso de corriente pasaría entonces a través de TR1.

$$ \ frac {V_ {EB}} {R1} = I_ {límite} $$

Debido a la caída de la base del emisor, Vin tiene que ser una caída de diodo más alta de lo que es la caída del HT71XX.

El circuito, como podría ser un problema, porque cualquier cosa más alta que el límite de corriente en el HT71XX es, se dirige a través del transistor de paso. (es decir, cargas muy bajas, cortocircuitos, etc.).

Los limitadores de corriente adicionales o la corriente de repliegue podrían ser algo a considerar.