Cómo simular un mosfet a partir de una hoja de datos en ngspice

  

¿Cómo simulo un circuito que contiene un Mosfet y transformo el   valores en la hoja de datos del mosfet en ngspice.

En primer lugar, elija un MOSFET dentro de su simulador que ya esté presente y sea compatible. Prueba esto para asegurarte de que todo parece funcionar.

Segundo, haga doble clic (o el mecanismo que sea necesario) para abrir esa parte MOSFET para que pueda inspeccionar los parámetros. ¿Puedes editarlos? Deberías poder hacer esto.

En tercer lugar, olvídate de intentar convertir los valores de la hoja de datos a parámetros de especias: ve a buscar el modelo del dispositivo que deseas usar y cambia los valores editándolos. A veces, los modelos se escriben en hojas de datos, pero la mayoría de las veces tienes que investigar.

Algunos sims te permitirán pegar todo el texto del modelo ascii en un área especial y esto sobrescribirá los parámetros del modelo contenidos en el dispositivo que elegiste. No uso ngspice, así que solo puedo adivinar este bit y las instalaciones que tiene.

El modelo de especia para el STN2NF10 se encuentra en esta página: -

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*     Model Generated by STmicroelectronics         *
*             All Rights Reserved               *
*      Commercial Use or Resale Restricted          *
*****************************************************
* CREATION DATES: 21-04-2006                        *
*                                                   *
* POWER MOSFET Model (level 3)                      *
*                                                   *
* EXTERNAL PINS DESCRIPTION:                        *
*                                                   *
* PIN 1 -> Drain                                    *
* PIN 2 -> Gate                                     *
* PIN 3 -> Source                                   *
*                                                   *
*                    ****C****                      *
*            **********************                 *
*     ***************************************       *
*  PARAMETER MODELS EXTRACTED FROM MEASURED DATA    *
*              <<<<<<<<<<<>>>>>>>>>>>               *
*     ***************************************       *
*   THIS MODEL CAN BE USED AT TEMPERATURE: 25 °C    *
*                                                   *
*****************************************************

* MODELLING FOR STN2NF10

.SUBCKT STN2NF10 1 2 3
LG 2 4  7.5E-09
LS 12 3 7.5E-09
LD 6 1  4.5E-09
RG 4 5  4.001
RS 9 12 0.325E-02
RD 7 6  0.142
RJ 8 7  0.445E-03
CGS 5 9   0.419E-09
CGD 7 10  0.467E-09
CK  11 7  0.307E-10
DGD 11 7 DGD
DBS 12 6 DBS
DBD  9 7 DBD
MOS  13 5 9 9 MOS L=1u W=1u
E1  10 5 101 0 1
E2  11 5 102 0 1
E3  8 13 POLY(2) 6 8 6 12 0 0 0 0  0.321
G1  0 100 7 5 1u
D1  100 101  DID
D2  102 100  DID
R1  101 0  1MEG
R2  102 0  1MEG
.ENDS STN2NF10

.MODEL MOS NMOS
+ LEVEL = 3
+ VTO   = 4.184
+ PHI   = 0.827
+ IS    = 0.1E-12
+ JS    = 0
+ THETA = 0.995
+ KP    = 15.084
+ ETA   = 0.199E-02

.MODEL DGD D
+ IS    = 0.1E-12
+ CJO   = 0.171E-10
+ VJ    = 0.754
+ M     = 0.367
.MODEL DBD D
+ IS    = 0.1E-12
+ CJO   = 0.202E-10
+ VJ    = 0.755
+ M     = 0.335
.MODEL DBS D
+ IS    = 0.1E-12
+ BV    = 117
+ N     = 1
+ TT    = 0.699E-07
+ RS    = 0.505E-02
.MODEL DID D
+ IS    = 0.01E-12
+ RS    = 0
+ BV    = 127

* END OF MODELLING