Half H Bridge VGS demasiado alto

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Estoy tratando de conducir una carga capacitiva con mosfets de P y N en un medio puente H. El problema es que mi voltaje de control es de 1.8V, y el puente H está cambiando a 20V. Mi plan original era usar npn's para cambiar la unidad a los mosfets:

simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab

El problema es que, en esta configuración, el Vgs será de 20 V a veces, superando con creces el máximo de 12 V indicado para muchos mosfets. ¿Hay una solución para esto?

Editar:

Ahora que lo pienso, ¿funcionará esto?

simular este circuito

¿Hay algún problema importante, excepto un encendido o apagado más lento?

    
pregunta BeB00

2 respuestas

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El circuito que propuse en los comentarios es este

simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab

Usar las apuestas como seguidores de origen en lugar de como drenaje común

Mi comentario original:

"Hay muchas maneras de hacerlo, pero aquí hay una muy fácil; no creo que quieras tener ambos M1 y M2 encendidos al mismo tiempo, ¿no? SW1 y SW2 se abren y se cierran ¿verdad? luego puede simplemente intercambiar M1 y M2 para que el inferior sea un canal p y el superior sea un canal n y luego conectar sus compuertas entre sí y manejarlas desde un amplificador de transistor basado en npn como los que tiene tengo dos de ahora "

Pero el segundo que publicaste también funcionará (usando divisores de voltaje)

    
respondido por el Vinzent
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Hay muchas formas de hacerlo, aunque ninguna de ellas es particularmente bonita. Realmente depende de los voltajes y las velocidades a las que desea cambiar.

Aquí hay una versión discreta "simplificada" que utiliza buffers seguidor de emisor para reforzar las corrientes de carga de la puerta.

simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab

Pero, como puede ver, se complica rápidamente y toma bienes raíces. Como tal, el cambio a un controlador IC MOSFET integrado se convierte rápidamente en una solución más atractiva.

    
respondido por el Trevor_G

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