Hola,
Tengounapregunta,simicircuitofuncionará:
Función:LapuertaestáenGNDSuministrodeunatensiónentre0Vy10V.Laentradade10Vesunasalidade~3.3VSielvoltajesuperalos10V,losdiodosD2yD3losujetana~3,3V(Estofuncionacomoloentiendo)
FunciónVgate=3.3vSuministrandounacorrienteentre0mAy20mA.lacaídadetensiónenR3debería"suministrar" el divisor de tensión de nuevo, la salida máxima es 3.3V
¿Funcionará la segunda función?
El Si2356 es una buena opción para un control de compuerta de 3.3 voltios. Tendrá una resistencia de encendido de alrededor de 0.05 ohmios y eso es despreciable en comparación con la resistencia de 499 ohmios (R3), por lo que 20 mA producirán 9.98 voltios a través de R3. El impacto de 150 k en paralelo con R3 también es bastante insignificante (caerá a 497.3 ohmios), por lo que el voltaje real desarrollado para 20 mA es de 9.95 voltios.
Al usarlo como un divisor de potencial de voltaje, habrá una fuga de 1 uA a 10 uA en el MOSFET "off" pero, en comparación con el combo actual de la serie de R1 y R2 no es un gran problema.
R1 y R2 convierten 10 voltios a 3.329 voltios, pero ten cuidado con las tolerancias de la resistencia. Por ejemplo, si utiliza resistencias del 1% para R1 y R2, 10 voltios podrían significar que los 3.329 voltios son un poco más altos a casi 3.4 voltios. No creo que cause un problema que no sea la incertidumbre del valor. Usaría resistencias de 0.1% si es crítico para el rendimiento.
Su fuente actual, I1, probablemente está al revés.
A 20 mA habrá 10 V a través de R3. Si Q1 está desactivado, el voltaje en la parte superior de R3 aumentará al máximo posible.
El 100k y los diodos seguirán protegiendo la salida.
Le recomiendo que apague la cuadrícula cuando tome capturas de pantalla. Esto mejorará la legibilidad.
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