¿Cuál es el origen del portador minoritario en semiconductores?

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Estoy analizando un tipo particular de detector de radiación que se usa en dispositivos de imágenes médicas. La capa de agotamiento y el portador minoritario desempeñan una gran parte del proceso de recolección de carga, especialmente la corriente inversa y el espesor de la capa de agotamiento que afectan directamente al ruido de la señal de radiación generada. La corriente inversa se genera principalmente debido a los acarreos minoritarios en el área p o n. Mi pregunta es cuál es el origen exacto de las compañías minoritarias. ¿Es solo debido a la excitación térmica o hay muchos otros factores además de la excitación térmica y cuál es más significativo?

Gracias

    
pregunta Manoj

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