Variación del nivel de Fermi en semiconductores dopados con voltaje aplicado

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¿El nivel de Fermi del semiconductor de tipo p o n es constante con respecto al voltaje aplicado? Por favor explique. De la imagen adjunta parece que el nivel de Fermi del semiconductor intrínseco varía pero el del semiconductor extrínseco es constante. /i.stack.imgur.com/MFoS8.jpg ">

    
pregunta TVV

1 respuesta

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El nivel de Fermi se define solo en equilibrio. No cuando se aplica el sesgo. En ese caso, solo hay niveles de cuasi-fermi , generalmente marcados con \ $ E_ {Fn} \ $ y \ $ E_ {Fp} \ $ . La corriente a través del dispositivo será proporcional al gradiente de los niveles de casi fermi. Entonces, si no fluye corriente, entonces los niveles de cuasi-fermi serán planos. El diagrama de bandas que se muestra en la figura representa un condensador MOS y ninguna corriente de estado estable puede fluir a través de un condensador MOS ideal y, por lo tanto, el nivel de casi fermi está marcado como plano.

Nivel de fermi intrínseco ( \ $ E_i \ $ ) es el nivel de fermi de un semiconductor intrínseco en equilibrio. Este nivel es fijo con respecto a la banda de conducción y cenefa. Por lo tanto, si los bordes de la banda cambian (con la posición), \ $ E_i \ $ también cambia.

    
respondido por el nidhin

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