Estoy utilizando el dispositivo Flash NAND de ST microelectronics NAND01GW3A0AN6E .
En esta hoja de datos, en la tabla de características de Dc, especificaron la corriente de fuga, la corriente de espera, los parámetros de la corriente de operación.
- ¿Qué se conoce como corriente de fuga de entrada IL y corriente de fuga de salida OL? las condiciones de prueba se dan como Vin = 0 a Vdd max para Il y Vout = 0 a Vdd max para OL
- ¿Por qué la corriente en espera TTL está en miliamperios y la corriente en espera CMOS está en nanoampas? La condición de prueba es CE # = Voltaje de entrada de alto nivel para logisc TTL y CE # = Vdd-0.2
- La memoria flash NAND tiene tres operaciones de lectura, programación, borrado y cada operación controla algo de corriente. Por ejemplo, Lectura actual = 5mA, Programa actual = 7mA, Borrar corriente = 7 mA.
Consideremos un escenario en el que el dispositivo está primero en modo de espera y se programa, se lee y se borra secuencialmente. ¿Cómo averiguar la corriente total generada por el dispositivo?