Actualmente estoy estudiando JFETs (Junction Field Effect Transistors) en la escuela Navy. Lo que sé hasta ahora es que en JFETs, \ $ V_ {gs} \ $ está invertido, creando una zona de agotamiento. Lo que esto significa en inglés simple es que cuanto más negativa es la compuerta con respecto a la fuente, más estrecho se vuelve el canal, lo que lleva a una mayor resistencia en el drenaje a la fuente, por lo que el drenaje a la fuente actúa como una resistencia. Hay un punto en que la corriente fluye constante y llamamos a esto el punto de saturación y lo denotamos como \ $ v_ {gs (off)} \ $
Nos presentan esta ecuación y no tengo idea de dónde viene:
$$ I_d = I_ {dss} \ left (1 - \ frac {V_ {gs}} {v_ {gs (off)}} \ right) ^ 2 $$
Aquí \ $ I_d \ $ es la corriente del drenaje y \ $ I_ {dss} \ $ es el drenaje a la saturación de origen. ¿Puede alguien arrojar algo de luz sobre cómo podemos obtener esta ecuación?