¿Por qué la unión pn se enciende para voltajes más bajos a temperaturas más altas?

En un semiconductor frío debajo de la rodilla, los electrones del lado n no tienen suficiente energía para ingresar al lado p y, de la misma manera, los orificios del El lado p no tiene suficiente energía para ingresar al lado n . Cuando lo calientas, una gran parte de los portadores de carga (en uno de estos lados, o ambos) adquieren la energía necesaria. La Fermi – Dirac distribution puede proporcionar una aproximación, aunque una unión sesgada hacia adelante es una Sistema de no equilibrio.

En términos de la ecuación de diodo de Shockley , se describe como "la saturación actual \ $ I _ {\ mathrm S} \ $ aumenta con \ $ T \ $ más rápido que \ $ \ exp (V _ {\ mathrm D} / n V_T) \ $ disminuye ".

Cita la respuesta de Incnis Mrsi: " En términos de la ecuación del diodo Shockley, se describe como" la corriente de saturación IS aumenta con T más rápido que exp (VD / nVT) disminuye "."

Sí - correcto. Quizás sea útil ser algo más detallado.

La corriente de saturación es - y, por lo tanto, también la corriente de colector Ic - aumenta con la temperatura. Sin embargo, debido a que la dependencia de la temperatura de la característica Ic = f (Vbe) se especifica para una CONSTANTE Ic, la tensión Vbe debe reducirse correspondientemente para mantener Ic = const. Esto conduce a una reducción en Vbe dada por un tempco negativo; d (Vbe) / dT = -2mV / K.

Eso significa que: Vbe no se reduce (automáticamente) con el aumento de las temperaturas, pero debe reducirse externamente para mantener la IC prácticamente constante. Para tal reducción podemos usar una resistencia de emisor externa RE.