¿Qué tipo de Flash admite "operaciones de escritura modificables por bits" en este momento? [cerrado]

Rethink la aplicación para determinar cómo puede usar una cantidad menor de memoria en la aplicación. Posiblemente, la parte que se reemplazó fue de 128 Mbit simplemente porque la tecnología se orientó hacia partes de esa densidad y no es que la aplicación del producto realmente requiera ese tamaño de almacenamiento.

Algoritmos que usan la capacidad de programación de nivel de bits individual tienen muchas más probabilidades de ser de acceso aleatorio a través de un espacio de almacenamiento más pequeño que los dispositivos de memoria Flash organizados en bloques grandes típicos.

Tecnología FRAM puede muy bien ser lo que quieras considerar seriamente. FRAM lee y escribe a nivel de bytes y bits (para los bits que necesita para realizar una operación de lectura-modificación-escritura). FRAM no tiene largos tiempos de escritura / borrado de varios milisegundos. Las escrituras suelen realizarse tan rápido como la interfaz serial puede operar. FRAM también tiene números de resistencia de escritura impresionantemente altos. Cypress tiene un dispositivo FRAM con interfaz SPI (512K bytes) que deberían adaptarse bien. También puede considerar colocar varios dispositivos para aumentar un poco el almacenamiento.

La memoria flash, por definición, no admite el borrado a nivel de bits, solo el borrado a nivel de página o bloque. Es posible que desee ver otros tipos de memoria no volátil que admiten este tipo de operación, pero sería bueno saber cuáles son sus requisitos específicos.