Estaba leyendo desde el inicio el inversor cmos. Leí entre el texto que "la capacidad de conducción de carga del inversor cmos es alta ... como cuando la entrada es alta (vdd), el nmos puede hundir una corriente de carga relativamente grande" ...... ¿cómo llegaron a ¿La intuición de que puede hundir una corriente de carga relativamente grande? Es porque hay una ruta de baja resistencia 
a tierra en ese momento? ¿Cómo explicas esta intuición?
El inversor es la topología con la mayor capacidad de conducción.
La corriente que un transistor puede hundir o la fuente depende de su voltaje de fuente de compuerta. En el caso de un inversor, la tensión de la fuente de la puerta se maximiza. Si la entrada es alta, la tensión de la puerta es Vdd y se obtiene la tensión máxima de la fuente de la puerta de Vdd-Vss.
Al mismo tiempo, el voltaje de la fuente de la puerta del PMOS es cero porque la puerta y la fuente están en Vdd. Por lo tanto, el PMOS está completamente apagado y el NMOS no necesita hundir ninguna corriente adicional.
Hacer que el PMOS sea tres veces más grande que el NMOS da como resultado una capacidad de abastecimiento que es casi igual a la capacidad de hundimiento. Una vez más, esta es la configuración más eficiente para el PMOS también.
Los amplificadores de clase D, por ejemplo, hacen uso de este hecho y usan una estructura que es básicamente un inversor para impulsar la carga y lograr una eficiencia muy alta. En tales aplicaciones, sin embargo, a veces se utilizan topologías diferentes (por ejemplo, dos transistores NMOS) para lograr un rendimiento aún mayor. Por supuesto, esta es una vista muy simplificada.