Tengo algunos mosfets de canal p (IRLML6401) en PCB, y parece que la resistencia entre la puerta y la fuente varía de 600 a 1100ohms. Obviamente, esta resistencia debería estar en el rango de los megaohms, así que me preguntaba qué podría estar causando esto. Funcionan de otra manera, ¿podría ser una ruptura en la barrera de óxido de ESD? Los tableros se ensamblaron en China, por lo que es posible que esta fábrica (hemos tenido problemas de control de calidad con otras cosas) no esté usando la protección adecuada.
Daño de Mosfet (ESD?)
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pregunta BeB00
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Si has medido en el circuito, es probable que hayas medido algo más. Las puertas nunca deben exponerse externamente como una alta impedancia y, a menudo, el controlador RdsOn es solo de 10 a 100x RdsOn de la etapa de salida, según el tiempo de subida deseado y los niveles actuales para los conmutadores PWM de alta potencia.
Para la protección ESD, lea esto.
respondido por el
Tony EE rocketscientist
Raspberry Pi, SPI, datos múltiples en líneas
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