Interpretar la potencia máxima de un MOSFET de la hoja de datos

La máxima disipación de potencia en el caso de cualquier transistor corresponde a la multiplicación de la tensión a través del drenaje a la fuente y la corriente que fluye a través de él.

Si su aplicación es para el propósito de cambio, entonces cuando apaga el dispositivo, no puede apagarse instantáneamente. Se tarda algún tiempo en retirar los transportadores y alcanzar el estado de corte.

Según la hoja de datos, máximo Vds = 100V, digamos que está operando a 50v en condición de apagado y en condición de encendido, la corriente que fluye a través de ella debe ser 1 A.

Cuando se apaga, Vds debe pasar de < 1v a 50V; en ese período de tiempo en particular, la corriente debe ir de 1A a 0A. Durante este tiempo, las pérdidas en el transistor se producen causando el aumento de la temperatura. Si su frecuencia de conmutación aumenta, las pérdidas por conmutación aumentan. Si la corriente de trabajo aumenta según la aplicación, las pérdidas de conmutación aumentan proporcionalmente. A medida que aumenta la temperatura, se produce una degradación del FET que provoca una mayor disipación.

También en el caso de la amplificación (generalmente se usan BJT), el voltaje a través de la fuente a la fuente no está de acuerdo con la región de saturación sino con la región lineal en FET, lo que hace que V * I sea muy alto.

Debido a esto, vería una mayor disipación en la hoja de datos.

Si opera el FET con una baja V _gs , o si lo activa o desactiva con alta frecuencia, generará más calor del que se pronostica con solo \ $ I_ {max} ^ 2 R_ {ds} (\ rm {on}) \ $.

Por lo tanto, el límite de consumo de energía puede ser relevante, aunque no lo superará al mantener el FET completamente activado y respetando las especificaciones actuales máximas.