Cálculo de capacitancia paralela al diodo TVS bidireccional

Todos son diferentes, pero la regla general es que la capacitancia aumenta a medida que aumenta la capacidad de manejo de potencia para la potencia nominal del pulso

aquí comparando un diodo TVS con otro diodo. (también conocido como diodo ESD)

 -dondePpweslaclasificacióndepotenciadepulsodonde\$Ppw=Ippm*Vf=Ippm^2*ESR\$

• comparandolasrelacionesPpw/Cren[Watts/pF]oESR*C=Tconstantedetiempoen[ps],queesunaindicacióndeltiempodereacción.

EscogídosdiodosTVSdePanasonicalazarconcapacidadesmuydiferentes.(porórdenesdemagnitud)utilizandolacapacitanciade0Vparaestos402SMD

Otrarelaciónquesemuestraenlastablasdevaristoreseslacorrientepico@8/20us(tiempo/anchodetiempo)dosvecesESR*pF

La disipación de potencia por pF está en el mismo rango y se muestra arriba como 1.8W / pF a pesar de la fabricación, el proveedor y el tamaño de las piezas, significativamente diferentes.

• La relación se debe al tamaño del cuerpo, la resistencia térmica Rja, el tamaño del chip y la capacitancia de la unión
• Calculé la clasificación térmica del paquete de disipación de potencia constante de Pd, aunque se usó en la protección de impulsos utilizando el impulso estándar Rayo IEC / UL de 8 / 20us. .
  • esta es solo una estimación rápida de las cifras relativas de mérito (FoM), no una ecuación rigurosa

Nota al margen

• puede hacer la misma comparación RdsOn * Ciss = T para MOSFET para comparar y comprender por qué se necesitan varias etapas de MOSFET para pasar del nivel lógico a 1000A debido a este ESR * Ciss = T, para mantener un máximo Tiempo de transición aceptable T, de un interruptor de medio puente.