Impedancia de entrada de la base del seguidor del emisor

  

¿Cuáles son las reglas generales para determinar las impedancias de entrada cuando   ¿Buscando en la base, emisor o colector?

Estas son reglas generales: -

Al observar el colector, generalmente encontrará una alta impedancia (asumiendo que el transistor está operando linealmente en la "región activa"): -

En la región activa, puede ver que si aumenta Vce, la corriente del colector solo aumenta un poco. Mire la gráfica donde la corriente de base es 0.3 mA; cuando Vce es 5V, Ic es aproximadamente 10 mA y, si incrementó Vce a 20 voltios, tal vez Ic haya aumentado a 10.5 mA. Entonces, hay una impedancia dinámica de 15 voltios dividida por 0.5 mA y, esta es una resistencia dinámica de 30 kohm.

Si observa el emisor, encontrará una impedancia de lugar más difícil y, como regla general simple, la impedancia es de unas pocas decenas de ohmios. Piense en un seguidor de emisores. Tiene una impedancia de salida baja (la misma como la impedancia de entrada está mirando) porque si la impedancia de carga se reduce, entonces el emisor de base se activará un poco más y la corriente del colector compensará esto al mantener el voltaje en el emisor casi igual.

Al mirar en la base, debe considerar la resistencia del emisor y, en un circuito seguidor del emisor, esta resistencia del emisor a veces se carga con otra resistencia, como en la imagen de la pregunta.

Entonces, la resistencia del emisor se convierte en Re || Rload o \ $ \ dfrac {R_e.R_ {load}} {R_e + R_ {load}} \ $ y esto debería comenzar a parecer familiar como parte de la ecuación en tu pregunta. Debido a la ganancia de corriente, esta resistencia combinada del emisor se transfiere a la base al multiplicarse por hFE. En última instancia, la impedancia que calcule estará en paralelo con las resistencias de polarización de la base, por lo que hay otro paso para calcular la impedancia de entrada en lugar de solo la impedancia que mira hacia la base.

Resistencia de entrada en el nodo base:

Es un procedimiento bastante sencillo, que comienza con la definición de la resistencia de entrada: rin = Vin / Iin = Vb / Ib con Iin = Ib y Vin = Vb.

• Usando la resistencia diferencial del emisor de base rbe = h11 = 1 / yie podemos escribir

  In = Ib = Vbe / rbe = (Vb-Ve) / rbe = Vb / rbe - IeRe / rbe (Re = Remitter || Rload) = 5k || 3k).

• Ib = Vb / rbe - Ib (hfe + 1) Re / rbe (porque Ie = (hfe + 1) Re; hfe = beta).

• Vb / rbe = Ib [1+ (hfe + 1)] Re / rbe

• rin=Vb/Ib=rbe+(hfe+1)Re.

Esta resistencia de entrada rin en el nodo base está en paralelo a ambas resistencias divisoras de voltaje óhmico R1 || R2.

EDIT : la resistencia diferencial rbe = hie se puede encontrar usando la transconductancia gm = Ic / Vt = hfe / hie. Resolver para rbe da: rbe = hie = hfe * Vt / Ic .