Diferentes métodos para realizar pruebas UIS en un Power Mosfet (EAS)

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Actualmente estoy buscando construir un circuito para probar el estrés de avalancha de un Mosfet de potencia. Normalmente, para esta prueba específica, desearía crear un circuito que tenga el siguiente aspecto:

simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab

Este método se suele llamar "Conmutación inductiva de un solo pulso sin sujeción". Para realizar esta medición, pulsamos la compuerta (activamos el mosfet), cargamos el inductor con una cierta corriente y finalmente apagamos la compuerta del mosfet. Luego, pondríamos el mosfet en modo de descomposición de avalancha donde podemos calcular V (BR) DSS e Ias. Aquí es cómo se vería la curva y la ecuación que viene con ella:

A partir de esas curvas, podemos calcular la energía dada por la siguiente ecuación:

$$ E_ {AS} = \ frac {L * I ^ 2_ {AS}} 2 * \ frac {V_ {DS}} {V_ {DS} -V_ {DD}} $$

Esta energía realmente depende del voltaje de descomposición de la avalancha, que puede variar durante la descarga debido al aumento de la temperatura del Mosfet. Pero en general, si nos mantenemos dentro de un cierto rango podemos hacer mediciones precisas. No voy a entrar en detalles de temperatura aquí ...

Lo que estoy preguntando es si sería posible cambiar el inductor en este circuito y reemplazarlo por un banco de condensadores. Por lo tanto, podríamos simplemente agregar una resistencia en serie y limitar nuestra falla de Avalancha. Corriente de esa manera. Si esto es posible, ¿cómo podría calcular la energía sin el inductor?

    
pregunta 12Lappie

1 respuesta

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Puede usar un banco de condensadores en lugar de un inductor para proporcionar la corriente de avalancha, pero introduce una serie de complejidades que el método de prueba estándar no tiene.

1) No es estándar, por lo que este método no es equivalente a los valores típicos de la hoja de datos.

2) Cambiar el banco de capacitores no es tan sencillo como pulsar la compuerta MOSFET.

3) El punto completo es probar la resistencia del MOSFET a un transitorio rápido de alto voltaje de alto voltaje, por lo que si esperaba evitar el uso de partes capaces de alto voltaje, un método alternativo no lo ayudará (ahora usted necesita un banco de condensadores de alta corriente en lugar de un inductor de alta corriente)

Si aún insiste en usar un banco de capacitores, una forma de hacerlo sería así.

simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab

Cuando el interruptor está cerrado, MegaCap se carga a \ $ {V_ {DD}} - {V_ {Diodo}} \ $. Cuando se abre el interruptor, la placa derecha del capacitor se golpea repentinamente de 0V a \ $ {V_ {High}} \ $, que a su vez aumenta el lado izquierdo del capacitor a \ $ {V_ {DD}} - { V_ {diodo}} + {V_ {Alto}} \ $. Si esto está más allá del voltaje de ruptura, la corriente fluirá a través del DUT. Cuando el interruptor está cerrado, la placa derecha del capacitor se lleva a GND (+ el voltaje de umbral del MOSFET del canal p), y la placa izquierda se acerca a \ $ {V_ {DD}} \ $, con el valor exacto dependiendo de cuánto fue dado de alta.

\ $ {V_ {DD}} \ $ está protegido por un diodo durante la descomposición, por lo que no aparece en los cálculos de energía de avalancha. Ignorando el impacto energético de la resistencia de seguridad, el circuito durante la descarga se ve así.

simular este circuito

Si puede determinar la corriente pico \ $ {I_ {AS}} \ $, el voltaje de ruptura \ $ {V_ {DS}} \ $, y la corriente final \ $ {I_ {Final}} \ $, Se puede calcular la energía de la avalancha. Si \ $ {I_ {AS}} \ $ está razonablemente cerca de \ $ {I_ {Final}} \ $, entonces la energía de avalancha es simplemente $$ {V_ {DS}} * t * \ frac {{I_ {AS }} + {I_ {Final}}} {2}, $$ donde t es el tiempo entre los \ $ {I_ {AS}} \ $ y \ $ {I_ {Final}} \ $ puntos.

Si \ $ {I_ {AS}} \ $ es no aproximadamente igual a \ $ {I_ {Final}} \ $, la energía de la avalancha aún se puede calcular, pero es mucho más complicada .

Algunas reflexiones finales:

1) La ESR de su banco de condensadores puede hacer que un limitador de corriente sea redundante.

2) No descuide una resistencia de seguridad en su banco de condensadores. Si se dimensiona de manera adecuada, podrá entregar descargas de docenas de amperios, posiblemente a voltajes de nivel de red. No desea que esto permanezca cargado cuando el circuito no está activo. Tamaño de la resistencia según la capacidad y los voltajes que usa.

3) Lo que sea que esté suministrando su alto voltaje tendrá que ser capaz de manejar el pico de corriente cuando se abre el interruptor (la corriente de \ $ {V_ {DD}} \ $ 'puede limitarse con una resistencia sin impactar la ruptura ).

4) Finalmente, aquí hay un video de capacitación de TI sobre sus pruebas de avalancha MOSFET, que explica por qué utilizan el método que utilizan y las consideraciones prácticas de las pruebas de avalancha.

    
respondido por el Alex

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