Transconductancia / admitancia del transistor unipolar

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La transconductancia de la variable básica del transistor unipolar suele estar marcada por:

Seusacomúnmenteencálculosenlosquenecesitamosunacorrientededrenaje,Ugs,rds(on)ysimilares.

Tambiénhevistomuchasecuacionesparacalcularlasvariablessuperiores,peroaquílavariablemásutilizadaseconocecomo"parámetro de conducción" (unidad: mA / V cuadrado). Dice (en el archivo pdf) que el fabricante debe dar "K". Pero ninguna hoja de datos hasta ahora tenía un valor como este.

Pregunta: ¿Tienen estos dos en común (transconductancia y parámetro de conducción)? ¿Se puede reemplazar uno con otro (probablemente no)? ¿Se utilizan estas ecuaciones con parámetros de conducción en la práctica?

    
pregunta Keno

1 respuesta

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La relación entre la transconductancia (\ $ g_m \ $) y el parámetro de conducción (\ $ K_n \ $) se puede encontrar en la definición de \ $ g_m \ $:

$$ g_m = \ frac {\ partial i_D} {\ partial v_ {GS}} = 2K_n \ left (v_ {GS} -V_ {TN} \ right) \\ \ implica K_n = g_m / \ left (2 \ left (v_ {GS} -V_ {TN} \ right) \ right) $$

En otras palabras, el parámetro de conducción se puede encontrar desde la transconductancia cuando se le da el voltaje de sobremarcha en el que \ $ g_m \ $ se midió.

También es posible encontrar \ $ K_n \ $ desde \ $ g_m \ $ cuando se da la corriente de drenaje a la que se midió \ $ g_m \ $:

$$ g_m = 2K_n \ left (v_ {GS} -V_ {TN} \ right) = 2 \ sqrt {K_n} \ sqrt {K_n \ left (v_ {GS} -V_ {TN} \ right) ^ 2} = 2 \ sqrt {K_ni_D} \\ \ implica K_n = g_m ^ 2 / \ left (4i_D \ right) $$

En la práctica, el parámetro de conducción puede ser útil para reverso del sobre , o cálculos aproximados.

Referencia: enlace . Consulte la diapositiva 11-6 y aplique la definición \ $ K_n = W \ mu_nC_ {ox} / \ left (2L \ right) \ $.

    
respondido por el SGH

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