Dependencia del voltaje del diodo de la temperatura

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Pregunta: En el circuito D1 hay un diodo de alta corriente y gran área cuya fuga inversa es independiente de la tensión aplicada, mientras que D2 es un diodo mucho más pequeño y de menor corriente para el cual n = 1. A una temperatura ambiente de 20 ° C, la resistencia R1 se ajusta para que VR1 = V2 = 520mV. Medición posterior indica que R1 = 520kohms. ¿Qué esperas que los voltajes VR1 y V2 estén en 0C y 40C?

simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab

Tengo algunas consultas conceptuales relacionadas con el numérico.

Los diodos están apagados. Así que una corriente de fuga inversa fluye a través de ellos. Mi pregunta es ¿cuál es la implicación de que D1 sea independiente del voltaje aplicado?

Otra pregunta es que, en polarización directa, el voltaje disminuye en 2 mV por cada grado de aumento de temperatura. ¿Es esto aplicable en el sesgo inverso? No he encontrado ninguna confirmación ni ninguna negación. Sin embargo, la respuesta considera una caída, incluso para el sesgo inverso.

(Nota: Resolví la pregunta con y sin la caída debida al aumento / disminución de la temperatura y la respuesta fue correcta en el primer caso, mientras que varió de la correcta en la cláusula sin).

Otra pregunta es que, ¿la diferencia de área entre diodos produce algún cambio que no sea su corriente de saturación?

Descargo de responsabilidad: Sé que puede parecer que estas preguntas (especialmente la última) deben formularse de manera diferente. Pero para mí, parecen estar relacionados con el problema en cuestión. Así que por favor disculpa eso.

    
pregunta Mohammed Arshaan

1 respuesta

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No sé cómo llegó a la idea de que ambos diodos están apagados en el caso nominal. Es un hecho declarado que el sesgo inverso \ $ D_1 \ $ tiene una corriente de fuga. Esta corriente de fuga, independiente del voltaje aplicado, proporciona una polarización directa para \ $ D_2 \ $.

De modo que parte de su declaración conlleva una suposición incorrecta.

KVL proporciona, para el caso nominal en \ $ 20 ^ \ circ \ text {C} \ $:

$$ 10 \: \ text {V} -I_ {LEAK} \ cdot R_1-V_ {D_1} -V_ {D_2} = 0 \: \ text {V} $$

Pero sabes que \ $ V_ {D_2} = 520 \: \ text {mV} = I_ {LEAK} \ cdot R_1 \ $ y entonces es muy obvio que:

$$ I_ {LEAK} = \ frac {520 \: \ text {mV}} {520 \: \ text {k} \ Omega} = 1 \: \ mu \ text {A} $$

Por esto, ahora también sabes, por \ $ V_D = n V_T \ operatorname {ln} \ left (1+ \ frac {I_D} {I_ {SAT}} \ right) \ $ y \ $ n = 1 \ $ y \ $ V_T \ approx 26 \: \ text {mV} \ $ que:

$$ I_ {SAT_ {D_2}} = \ frac {I_ {LEAK}} {e ^ \ frac {V_ {D_2}} {V_T} -1} \ approx 2.06 \ times 10 ^ {- 15} \ : \ text {A} $$

Esta última parte probablemente no importa para su problema. Mientras que \ $ I_ {SAT} \ $ es en sí mismo altamente dependiente de la temperatura y afecta el voltaje de caída del diodo, ha hecho otra suposición sobre esa variación al afirmar que el cambio es \ $ - 2 \: \ frac {\ text { mV}} {^ \ circ \ text {C}} \ $. Así que eso triunfa sobre cualquier discusión sobre el cambio en \ $ I_ {SAT} \ $ sobre temperatura.

Por cierto, todo lo anterior está en \ $ 20 ^ \ circ \ text {C} \ $.

Así que la pregunta se divide en los siguientes tres pasos.

  1. ¿Cambia \ $ I_ {LEAK} \ $ la temperatura? O lo hace, o no lo hace. Usted no pudo establecer su suposición aquí. Sin embargo, sé que hay una regla de oro para los diodos, con respecto a las corrientes de fuga. (Sé esto bien por trabajar con fotodiodos). Las corrientes de fuga aumentan en un factor de \ $ 2 \ $ por cada \ $ + 10 ^ \ circ \ text {C} \ $ cambio. (Puede calcular la implicación en la otra dirección del cambio de temperatura). Por lo tanto, tenemos lo siguiente: $$ \ begin {align *} I_ {LEAK_ {20 ^ \ circ \ text {C}}} = 1 \: \ mu \ text {A} \ cdot 2 ^ \ frac {20 ^ \ circ \ text {C} -20 ^ \ circ \ text {C}} {10 ^ \ circ \ text {C}} & = 1 \ : \ mu \ text {A} \\\\ I_ {LEAK_ {0 ^ \ circ \ text {C}}} = 1 \: \ mu \ text {A} \ cdot 2 ^ \ frac {0 ^ \ circ \ text {C} -20 ^ \ circ \ text {C}} {10 ^ \ circ \ text {C}} & = 250 \: \ text {nA} \\\\ I_ {LEAK_ {40 ^ \ circ \ text {C}}} = 1 \: \ mu \ text {A} \ cdot 2 ^ \ frac {40 ^ \ circ \ text {C} -20 ^ \ circ \ text {C}} {10 ^ \ circ \ text {C}} & = 4 \: \ mu \ text {A} \ end {align *} $$
  2. ¿Qué es el voltaje en \ $ D_2 \ $ en \ $ 0 ^ \ circ \ text {C} \ $ y en \ $ 40 ^ \ circ \ text {C} \ $? Como ya ha indicado la variación en otro lugar, suponiendo que la corriente a través del diodo sigue siendo la misma, esto parece fácil. Pero debe incluir la diferencia que también se debe a cualquier cambio en la corriente de fuga. Entonces, en \ $ 0 ^ \ circ \ text {C} \ $, es $$ V_ {D_2} = 520 \: \ text {mV} + \ left (-2 \: \ frac {\ text {mV}} { ^ \ circ \ text {C}} \ right) \ cdot \ left (0 ^ \ circ \ text {C} -20 ^ \ circ \ text {C} \ right) + V_T \ operatorname {ln} \ left (\ frac {250 \: \ text {nA}} {1 \: \ mu \ text {A}} \ right) \ approx 524 \: \ text {mV} $$ y en \ $ 40 ^ \ circ \ text {C} \ $ es $$ V_ {D_2} = 520 \: \ text {mV} + \ left (-2 \: \ frac {\ text {mV}} {^ \ circ \ text {C}} \ right) \ cdot \ left (40 ^ \ circ \ text {C} -20 ^ \ circ \ text {C} \ right) + V_T \ operatorname {ln} \ left (\ frac {4 \: \ mu \ text {A}} {1 \: \ mu \ text {A}} \ right) \ approx 516 \: \ text {mV} $$
  3. ¿Qué es el voltaje en \ $ R_1 \ $ en \ $ 0 ^ \ circ \ text {C} \ $ y en \ $ 40 ^ \ circ \ text {C} \ $? Bueno, tienes las corrientes de fuga de # 1, arriba. Entonces, en \ $ 0 ^ \ circ \ text {C} \ $ que tiene, $$ V_ {R_1} = 520 \: \ text {k} \ Omega \ cdot I_ {LEAK_ {0 ^ \ circ \ text {C}} } = 130 \: \ text {mV} $$ y en \ $ 40 ^ \ circ \ text {C} \ $ es $$ V_ {R_1} = 520 \: \ text {k} \ Omega \ cdot I_ {LEAK_ {40 ^ \ circ \ text {C}}} = 2.08 \: \ text {V} $$

Eso es todo lo que se puede hacer con su problema, dado que se proporcionaron pocos detalles.

Ya que dices que ya tienes las respuestas correctas, por favor dime cuáles fueron. Tengo curiosidad por cómo se comparan en valor y en el razonamiento que aplicó. Lo anterior es mío. ¿Cuál es el tuyo?

    
respondido por el jonk

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