Soy un principiante absoluto en electrónica y todo lo relacionado con los transistores no me parece muy intuitivo. Supongamos que este problema, en la región activa, el voltaje del terminal de entrada casi permanece constante con el cambio en la corriente de entrada para un transistor. Entonces, en términos de parámetros h, ¿no debería ser \ $ h_i \ $ (es decir, una impedancia de entrada de cortocircuito) casi cero en lugar de un valor significativo (típico 600-900 ohm)?
¿No debería ser casi cero la resistencia de entrada interna de un transistor?
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pregunta NewStudent
2 respuestas
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Entonces, en términos de parámetros h, no debería \ $ h_ {i} \ $ ser casi cero
Tenga en cuenta que la entrada a un BJT (en una configuración de emisor común) está básicamente impulsando un diodo de polarización directa. Así es como se ve un 1N4148 solo como un ejemplo. Los BJT serán un poco diferentes en cuanto a las influencias de voltaje del colector, pero dentro del mismo parque de pelota: -
Entonces, si observa la pendiente del gráfico, puede calcular la resistencia de entrada dinámica frente al voltaje directo. A 0.8 voltios, la corriente directa es de aproximadamente 10 mA. Tal vez a 0,75 voltios, la corriente es de unos 8 mA. Esto significa que la impedancia de entrada dinámica es (0.8 - 0.75) /0.002 = 25 ohms.
A aproximadamente 0,6 voltios, la corriente directa es de aproximadamente 1 mA y si el voltaje se reduce a 0,55 voltios, la corriente sería de aproximadamente 0,8 mA. Por lo tanto, la resistencia dinámica ahora es de aproximadamente 250 ohmios.
respondido por el Andy aka
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La resistencia en la que está pensando, llamada resistencia dinámica o resistencia de señal pequeña o resistencia diferencial es la derivada \ $ dV / dI \ $.
Para un diodo (que es la base de un BJT), \ $ V = kT / q \ space \ text {ln} (I / I_s) \ $, entonces \ $ dV / dI = kT / q \ cdot 1 / I \ $
kT / q es de aproximadamente 25 mV, por lo que si la corriente de base es de 10 microamperios, dV / dI = 2500 ohmios.
respondido por el
τεκ
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