Entiendo que por debajo de la tensión de barrera no fluye corriente, y una vez que se cumple la tensión requerida, la corriente aumenta exponencialmente, de acuerdo con la ecuación de diodo ideal. Sin embargo, a voltajes por encima de esta región (~ 1.0-1.5v para un diodo de silicio) parece que aquí hay una relación lineal entre V y I. ¿Es esto correcto? [Editar: para un diodo real]
Los diodos reales tienen un componente resistivo al comportamiento, no descrito por la ecuación de Shockley.
Por supuesto, si tiene 1.5V (polarización directa) a través de un diodo de silicio a temperatura ambiente (o superior), está generando mucha corriente. A corrientes muy altas (normalmente muy por encima de la corriente continua nominal), la resistencia puede dominar.
Aquí hay un modelo SPICE para un 1N4004 de Onsemi :
.MODEL D1n4004rl d + IS = 5.31656e-08 RS = 0.0392384 N = 2 EG = 0.6 + XTI = 0.05 BV = 400 IBV = 5e-08 CJO = 1e-11 + VJ = 0.7 M = 0.5 FC = 0.5 TT = 1e-09 + KF = 0 AF = 1
Puede ver que hay una resistencia en serie RS en el modelo de aproximadamente 39m ohm. Si pulsa 10A a través de este diodo 1A, la resistencia caerá 392mV.
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