Me pregunto cómo el simulador (LTspice, Cadence, ...) calcula el punto de operación de CC del MOSFET en el análisis de CC. Sé que en el análisis de CC, los condensadores están abiertos y los inductores son cortos. Con MOSFET, ¿cómo se modela en el análisis de DC?
No hay una respuesta simple a esta pregunta porque hay muchas maneras diferentes de modelar un MOSFET. Especialmente para el diseño de circuitos integrados se utilizan modelos muy sofisticados como BSIM o PSP.
Para el diseño de circuitos discretos, a menudo se usan modelos más simples, el más básico y conocido es el modelo de Shichman-Hodges, que usa descripciones simples para el corte lineal y la región de saturación.
Para todos estos modelos, Google debería mostrar una serie de referencias.
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