desencapsulando un MOSFET para crear un terminal masivo

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En mi proyecto, estaría usando NMOS 'y sería muy útil para mí tener un terminal a granel. Dado que mis opciones de piezas NMOS no tienen terminal a granel, me preguntaba si de alguna manera podría desencapsularlo (como el método probado para sumergir el paquete epoxi en ácido nítrico, etc.) y adjuntar un terminal al volumen.

Esto realmente no es un IC y supongo que el volumen en sí es bastante grueso (habiendo sido calificado con 24 V). Entonces, lo que espero es que no haya cables demasiado delgados y frágiles que se rompan. ¿Funcionaría esto?

¿Qué hay de pedir un montón (para hacerse cargo de los gastos generales) de los fabricantes que no se ha rellenado. Todo lo que tienen que hacer es sacarlo de la línea de ensamblaje sin mucho problema, ¿no?

    
pregunta Majin_Boo

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Es probable que esto no funcione en muchos dispositivos, ya que en la mayoría de los dispositivos ya tiene acceso a todos los terminales. Ciertamente, en los MOSFET de potencia, que son dispositivos verticales, no hay terminal masivo . El contacto de sustrato / volumen, si existe está comúnmente vinculado a la fuente, ya que de lo contrario terminaría con un comportamiento extraño al usar el transistor como se pretende. Encontrará que la mayoría de los dispositivos ya hacen contacto eléctrico en la parte posterior del dado para el drenaje.

Tenga en cuenta que ni siquiera estoy abordando el aspecto de la desencapsulación porque no pudo establecer la conexión que desea comenzar desde desde una parte de troquel desnudo .

He visto algunos dispositivos en los que el terminal masivo no está implícitamente / explícitamente en corto y expuesto a un pin. Los dispositivos lineales avanzados hacen partes como esta, como el ALD1107 . Sin embargo, es muy poco común encontrar partes donde el terminal masivo no está conectado internamente a la fuente.

    
respondido por el W5VO

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