¿Cuáles son los parámetros a considerar al seleccionar MOSFET o IGBT para el diseño de inversores y SMPS [cerrado]

Estoy completamente de acuerdo con el comentario de Marcus, sin embargo, una cosa importante a considerar es que a medida que aumenta la tensión nominal, el MOSFET de resistencia aumenta muy rápidamente.

Un IGBT tiene un voltaje de saturación que aumenta lentamente con la corriente del colector.

Entonces, si la corriente promedio de su dispositivo produce una caída mayor en el MOSFET RDSon que el voltaje satelital IGBT, el IGBT se ve mejor desde una perspectiva de pérdida de conducción. Este suele ser el caso para, por ejemplo, 600 V y mayores voltajes de bus.

Por supuesto, los IGBT cambian más lentamente, especialmente en el apagado (carga almacenada), por lo que las pérdidas por cambio pueden ser peores si tiene que cambiar a frecuencias más altas.

Luego está todo lo que Marcus señaló ...

¡Los parámetros eléctricos a considerar al elegir un MOSFET son muchos!

Para las aplicaciones de SMPS, los parámetros parásitos de un MOSFET son críticos, ya que determinan el tiempo de transición, la resistencia al encendido, el timbre (sobrepasado al cambiar) y la descomposición de la puerta trasera que se relacionan con la eficiencia de su SMPS.
< a href="https://engineering.phys.msu.ru/images/bivos/4.jpg"> Esta imagen representa la mayoría de los paracíticos relevantes para un MOSFET.

Para un interruptor de alimentación que normalmente desea:

1. Muy baja resistencia (que viene de elegir un MOSFET de canal ancho y corto)
2. Baja capacitancia de entrada (de manera espacial la capacitancia de Miller)
3. Baja inductancia paracítica para drenar y fuente para minimizar picos de voltaje durante el cambio (Piense en términos de conexiones físicamente cortas a sus otros componentes)
4. Gran ruptura en la puerta de cocción (lo suficientemente alta como para manejar cualquier aumento de voltaje que le dé su inductancia paracítica)

Para un controlador de puerta (suponiendo que eso es lo que quiere decir con inversor) que normalmente desea:

1. Baja capacitancia de entrada para una rápida conmutación
2. Alta potencia de transmisión (Esto se da nuevamente al elegir un dispositivo de canal ancho y corto. La regla de oro es usar un MOSFET con 1/3 del ancho "W" y 1/3 del largo "L" que su respectivo poder tiene MOSFET

Hay mucho más en este tema de lo que he mencionado, pero podría ser un buen lugar para comenzar. Espero que ayude.