¿Cómo hacer que BJT / MOSFET funcione en RF?

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Estoy tratando de diseñar un amplificador con un modelo de transistor. Seguí algunos tutoriales básicos en línea ( enlace ) y diseñé un modelo de transistor para BJT / MOSFET. Estoy atascado en hacer que el amplificador funcione en frecuencias de RF. Supongo que estoy usando un modelo de baja frecuencia o un circuito inadecuado y no estoy seguro de cuál de estos

Ahora, para MOSFET / BJT, arreglé un punto de polarización (para la máxima transconductancia en MOSFET / fix Beta, VBE, IC, IB en BJT) y luego diseñé el circuito de polarización y simulé la simulación de S-Parámetro / AC. Estoy obteniendo el S21 / Ganancia bajando a 0dB cerca de 150 MHz. Supongo que esto tiene que ver con la frecuencia de tránsito.

Supongo que hay dos errores: estoy usando un modelo de baja frecuencia o un circuito inadecuado y no estoy seguro de cuál.

Mi circuito se parece al de abajo para BJT:

    
pregunta sundar

2 respuestas

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De la hoja de datos de 2N3904 obtuve eso para un rendimiento de RF máximo (ancho de banda de ganancia actual producto = 300MHz) uno debe tener Ic = 10mAdc y Vce = 20Vdc. Este no es el caso en su circuito.

    
respondido por el Stefan Wyss
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De alguna memoria vaga, recuerdo que la ganancia de un transistor es

Z (Cfeedback + Cout) * gm.

Por lo tanto, cuando g es 0.01 (o 1/100 ohmios, o 0.26 miliamperios para un bipolar), y la Z (capacitancia total del colector) es 100 ohmios, tendrá una ganancia de voltaje de 1.

Esto ignora el "tiempo de tránsito base" y otros aspectos.

A frecuencias más bajas, debería tener más ganancia, establecida por Early Voltage y Zin de la siguiente etapa, y por Zout de la etapa anterior, y las resistencias de polarización del colector / drenaje.

    
respondido por el analogsystemsrf

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