Característica idealizada de transistores de potencia

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La característica BJT idealizada se representa como:

Loquesignificaqueeltransistorescapazdeconducirlacorrientede+a-cuandoseenciende,ycuandoestáapagadobloquearálosvoltajespositivos.Encontrélasmismasimágenesenamboslibros,FundamentalsofPowerElectronicsdeRobertErickson,yenPowerElectronicsdeNeedMohan.

EnelcasodelostransistoresMosfet,ellibrodeMohanmuestraestacaracterística:

MismocomportamientoqueelBJT.

PeroenellibrodeRobertEricksonsemuestraestaimagen:

Lo que significa que Mosfet es capaz de conducir corrientes positivas y negativas actuales. Drenar a la fuente y Fuente a drenar. ¿Por qué esta discrepancia en el comportamiento del Mosfet?

¿Y también por qué no se muestra el comportamiento de los voltajes negativos? ¿No pueden esos transistores permitir voltajes negativos cuando están apagados?

    

2 respuestas

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El Mosfet de energía puede bloquear el voltaje solo en una dirección. En la otra dirección, Fuente a drenaje, es un diodo (como sugiere la parte central del símbolo) si la puerta está DESACTIVADA. Si la compuerta está activada, conduce con la misma resistencia que la caja de drenaje a la fuente. Teniendo en cuenta este caso, la representación ideal de Erickson es correcta.

    
respondido por el matzeri
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Un mosfet se comporta igual de bien en ambas direcciones, de modo que cuando se activa un mosfet tendrá resistencias de activación similares en ambas direcciones. Normalmente, el relé de estado sólido: -

Cuando está activado, hay una conexión inversa y una conexión convencional en serie con la carga de CA. No es el caso que el diodo parásito en el interior del mosfet conectado a la inversa esté conduciendo y produciendo una caída de voltio de 0.7 voltios; no, ambos MOSFET están conduciendo completamente cuando están encendidos y producen una caída de voltio baja.

    
respondido por el Andy aka

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