Necesito conducir un MOSFET IPW90R120C3 de Infineon Aquí la especificación de MOSFET
VDS @ TJ=25°C 900 V
Rdson @ TJ=25°C : 0.12ohm
Qg = 270nC
Especificación del controlador IR2110
Isource: 2A
Isink : 2A
VOUT 10 - 20V
ton/off (typ.) 120 & 94 ns
Driver supply : 15V
La frecuencia de conmutación Fsw = 50KH
¿cuál es la mejor manera de calcular la resistencia Rg para impulsar el MOSFET? saludos cordiales
¿La "mejor manera" se reduce a lo que estás tratando de lograr?
El cambio es todo acerca de la transferencia de carga. Debe transferir el valor de 270 nC dentro (o fuera) de la región de la puerta para encender (o apagar) el dispositivo. También se trata de cargar la capacitancia correspondiente.
\ $ Q_ {gs} \ Rightarrow Q_ {gd} \ Rightarrow Q_g \ $
El encendido del dispositivo se puede dividir en dos regiones
Las características reales de encendido (e igualmente apagado) se dividen en tres regiones (carga al umbral, carga a través del millar, carga a la saturación) pero sin un gráfico detallado de la carga de la meseta millar es más bien una punto de conversación
\ $ \ Delta V = (V_ {final} - V_ {inicio}) (1 - \ frac {1} {e ^ {\ frac {t} {\ tau}}}) \ $
\ $ t = RC ln (1 - \ frac {\ Delta V} {V_ {final} - V_ {inicio}}) \ $
Período 1
\ $ V_ {gg} \ $ is 10V = \ $ V_ {end} \ $
\ $ V_ {0} \ $ es 0V = \ $ V_ {inicio} \ $
\ $ V_ {th} \ $ es 3V = \ $ \ Delta V \ $
C = 6.8nF (de \ $ C_ {iss} \ $)
A partir de esto, se puede hacer una aproximación de 1er paso de \ $ R_g \ $ en función de un tiempo de demora requerido
Período 2
\ $ V_ {gg} \ $ is 10V = \ $ V_ {end} \ $
\ $ V_ {th} \ $ es 3V = \ $ V_ {inicio} \ $
\ $ V_ {gg} -V_ {th} \ $ es 7V = \ $ \ Delta V \ $
\ $ Q_g \ $ es 270nC - > \ $ C_g = Q_g / Vg = 27nF \ $
C = 20.2nF (de \ $ C_g - C_ {iss} \ $)
Esto facilitará la obtención de una resistencia de compuerta para un tiempo de subida dado. Este valor es de mayor importancia que el tiempo de retardo.
Hay otras tres consideraciones con respecto a la unidad de puerta
Poder
\ $ P_ {drv} = Q_g f_ {in} \ Delta V_g \ $
Cuanto más rápido quieras cambiar, más potencia tomará
Current
\ $ \ hat {I_ {out}} = \ frac {\ Delta V_g} {R_ {g \ _min}} \ $
La resistencia de compuerta más baja se rige por la capacidad de salida de corriente de su controlador
Estabilidad
\ $ R_ {g \ _min} = 2 \ sqrt (\ frac {L_g} {Cg}) \ $
Para minimizar la creación de un oscilador de perforación, el factor de amortiguación asociado con el circuito L-C debe cumplir la condición de amortiguación
Debe buscar en la hoja de datos del circuito del controlador de la puerta, luego buscar el máximo. actual y \ $ R_ {ds_ {ON}} \ $, busque la resistencia interna de la compuerta del MOSFET, también. $$ I_g = \ dfrac {V_ {driver}} {R_ {ds_ {ON}} + R_g + R_ {g_ {MOSFET}}} $$
Lea otras preguntas en las etiquetas power mosfet power-electronics mosfet-driver