He estado probando un par de transistores BFY50 que recuperé usando mi multímetro. Uno de ellos informa una hFE de ~ 109 (esto parece coherente con el valor de la hoja de datos de 112). El multímetro reporta un valor de ~ 470 para el otro. ¿Es esto una indicación de que el transistor está dañado?
EDITAR: este transistor particular es epitaxial plano, por lo que el envejecimiento no lo afecta tan mal como los transistores de tecnología más antigua. Pero la edad del dispositivo sigue siendo un factor importante.
Se observa que los transistores antiguos, fabricados mediante tecnología de aleación de difusión, obtienen un alto nivel de anormalidad después de varias décadas de vida útil. El material de dopaje se movió lentamente dentro del silicio (o germanio) y causó un cambio de hFe.
Esto no significa necesariamente que el dispositivo esté dañado por la edad. Pero significa que otras características también cambiaron. El dispositivo ya no corresponde a su información de la hoja de datos y, en cierto sentido, cada muestra es algo único e indocumentado. Si necesita resultados predecibles, no utilice los fabricados con tecnología de aleación de difusión (¿aprox. Antes de 1970?)
Para el hoobyist, los semiconductores muy viejos pueden ser valiosos como referencias de voltaje o sensores de temperatura / radiación. El valor está en estabilidad, ya que cada deriva esperada ya ocurrió y las características del dispositivo no están cambiando tan rápido como en los dispositivos recién fabricados. Por ejemplo, hay un stock reservado de referencias de voltaje al horno producidas específicamente en cantidades adicionales hace algunas décadas para mantener el suministro de voltímetros de 8,5 dígitos durante los próximos siglos.
Si la ganancia reportada está muy por encima del valor máximo en la hoja de datos, es muy probable que el transistor esté dañado. Pruebe la resistencia del colector al emisor sin energía aplicada, si está dañada, probablemente verá un valor bajo (debería ser muy alto > > 1 MΩ)
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