Mi intención es manejar un MOSFET (por ejemplo, un IRF840 o algún nivel lógico) desde un pin de salida de SoC de baja corriente (< 10mA).
Usando resistencias apropiadas de puerta a pin y tierra, esto funciona ... pero el cambio de voltaje de la puerta podría ser más rápido.
Así que consideré poner un NPN (a VCC) & PNP (a GND) BJT entre el pin y el FET
y en ese momento pensé que preguntaría si esa configuración tiene un nombre y / o algún problema conocido para evitar (comentarios, etc.).
Esto se denomina "configuración de salida push-push" y proporciona una ganancia de tensión unitaria pero una impedancia de salida y una corriente de salida significativamente altas. Esto hace que la salida push / pull sea ideal para impulsar altas cargas capacitivas, tales como puertas MOSFET de potencia a frecuencias relativamente altas cuando el controlador (IC o MCU) no puede generar suficiente corriente - muy ampliamente utilizado en el cambio de convertidores (Personalmente, estoy usando esta configuración en mis diseños de convertidor Flyback 2-sw Forward y 2-sw) . No es necesario colocar dos resistencias separadas, por cierto:
Tenga en cuenta que VCC y Vi deben estar al mismo nivel para una correcta activación / desactivación. Si, por ejemplo, VCC = 12V y Vi = 5V, este circuito no puede realizar su trabajo.
PS: IRF840 no es un MOSFET de puerta de nivel lógico, IR L 840 es.
Si desea mantener su FET de alto voltaje, la siguiente es una forma común de hacer el trabajo, y puede manejarse desde la lógica de 3v / 5v.
Q1 saca la señal a través de D1. Incluso con la caída a través de D1, alcanza un voltaje de salida más o menos tan bajo como un seguidor de emisor.
Q2 amplifica la corriente a través de R1, por lo que impulsa el FET mucho más difícil de lo que lo haría una simple resistencia de subida. Recorte R1 para que sea lo más grande posible (la corriente de reposo más baja) de manera consistente con la conducción del FET lo suficientemente fuerte. El uso de un darlington para Q2 puede ayudar aquí.
Si la corriente de reposo en R1 es un problema, entonces necesitaría usar una configuración diferente. Puedes comprar un controlador CMOS que maneja una compuerta FET con varios amperios, por menos de 1 £ $ Euro.
Los MOSFET son activados por voltaje y, por lo tanto, son perfectos como lo son con su microcontrolador o SOC, siempre que use una resistencia desplegable para tirar de la entrada a tierra, debería estar bien. Por lo tanto, no creo que se requiera el complicado diseño de NPN y PNP.
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