¿Por qué no se satura este mosfet en una configuración y no en la otra? [duplicar]

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Estoy jugando con Mosfet específicamente irf 540 . Según la hoja de datos, Vgs es aproximadamente 10 Volt.I agregue 2 resistencias a 2 circuitos diferentes para ver si hay una diferencia en la saturación del componente. Apliqué 3 voltios a ambas compuertas. Sorprendentemente, el primer circuito se saturó y el otro no. Luego tengo varias preguntas:

  1. ¿Por qué se saturó el Mosfet en la primera configuración y no en ambas?
  2. ¿Por qué se saturó con 3 voltios y no con 10?
  3. ¿Este circuito realmente necesita una resistencia después del drenaje o la fuente?
  4. ¿Qué consideraciones adicionales debo tener en cuenta si deseo conducir una carga que dibuje a un máximo de 1 A a 24 V?

Aquí hay un esquema de mi circuito simple:

    
pregunta ChiPlusPlus

2 respuestas

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  1. En el segundo circuito, cuanta más corriente pase, a mayor MOSFET, mayor será la fuente potencial \ $ V_S \ $ porque la misma corriente pasa por \ $ R2 \ $, lo que provoca una caída de voltaje de \ $ V_S = RI \ $ .
    \ $ V_ {GS} = V_G - V_S \ $ por lo tanto, el efecto de \ $ V_G \ $ se limita por sí mismo (retroalimentación negativa).
  2. El valor para \ $ V_ {GS} \ $ que encontró en la hoja de datos probablemente sea el máximo voltaje permitido entre la puerta y la fuente
  3. Depende ... si desea una limitación de corriente, es una buena idea tener la resistencia por debajo de la fuente (segundo circuito)
  4. Si la carga es inductiva, ponga un diodo a través de la carga
respondido por el Curd
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Un IRF540 real tiene un Vgs (th) de 2V a 4V, por lo que es muy posible que comience a conducir en el extremo inferior de ese rango.
También es bastante posible que quienquiera que haya introducido el valor en el modelo de sim que esté utilizando elija el extremo inferior del rango. Vgs de 10V es solo un ejemplo dado para mostrar una especificación de Rds (on) para tratar de vender la pieza.

Entonces, con su valor relativamente alto de R1, ver la saturación de IRF540 en su primer circuito no es inesperado, considerando su posible Vgs (th) de 2 V.
En el circuito 2, tan pronto como el IRF comience a conducir, el voltaje a través de R2 aumentará, lo que hará que Vgs ya no sea el 3V que aplicó, lo que evitará que el IRF se sature.

La resistencia representa su carga, por lo que no es necesaria ninguna resistencia adicional.

El circuito 1 es la configuración que se usa normalmente cuando se desea que el IRF se comporte como un interruptor, porque puede saturarlo con un voltaje más bajo que su fuente.

    
respondido por el brhans

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