Como se puede ver en la hoja de datos a continuación para el transistor NPN 2n2222a, el "Voltaje de saturación del colector-emisor" y el "Voltaje de saturación del emisor de base" se definen respectivamente como 0,3 a 1,0 y 1,2 a 2,0. Creo que entiendo la saturación del transistor, pero ¿cuál es la diferencia entre la saturación del colector-emisor y la saturación del emisor de base?
Vce (sat) es el voltaje medido en el colector en relación con el emisor en las condiciones especificadas (por ejemplo, 150 mA de flujo de corriente de colector y 15 mA de corriente de base aplicada (beta forzada de 10).
Vbe (sat) es el voltaje medido en la base en relación con el emisor en las condiciones especificadas, como se indicó anteriormente.
Entonces, si desea cambiar una carga de 150 mA en esas condiciones con (digamos) una entrada de 10V, utilizará el último número para determinar el valor de resistencia requerido para obtener la corriente de base mínima necesaria (y asegurarse de no hacerlo). exceder cualquier máximo si se especifica el Vbe mínimo (sat)).
¿Cuál es la diferencia entre Vbe (sat) y Vce (sat)?
utilizando Ic / Ib = 10
j / k;)
ESR (b-e) = ΔVbe / ΔIb = (2.0-1.2) V / (50-15) mA = 23 Ω en este rango.
Similarmente para Rce o ESR (c-e) = (1.0-0.3) V / (500-150) mA = 2 Ω (o 10x más pequeño)
En realidad, Vcb se desvía hacia adelante en saturación, por lo que la calidad de Vce súper baja depende de cómo se dopa y procesa (transporta) el transistor.
Mientras que el valor real de Rce depende del tamaño del chip en el interior y sus propiedades térmicas. Así que espero que este transistor disipe Pdmax = 1 / ESR (c-e) = 1 / Rce = 0.5W (más o menos 50%)
Lea otras preguntas en las etiquetas transistors bjt saturation