Resistencia de carga máxima para un circuito de transistor único dado

Los siguientes dos esquemas son equivalentes:

^{simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab}

Donde \ $ V_ {TH} = V_ {CC} \ frac {R_2} {R_1 + R_2} \ $ y \ $ R_ {TH} = \ frac {R_1 \ cdot R_2} {R_1 + R_2} \ $ .

De lo anterior, y suponiendo que \ $ I_B ^ {'} = \ mid I_B \ mid \ $ y \ $ V_ {BE} ^ {'} = \ mid V_ {BE} \ mid \ $, puede calcular :

$$ \ begin {align *} V_ {TH} + I_B ^ {'} \ cdot R_ {TH} + V_ {BE} ^ {'} + I_B ^ {'} \ cdot \ left (\ beta + 1 \ right) \ cdot R_E & = V_ { CC} \\\\ \ por lo tanto \ quad I_B ^ {'} = \ frac {V_ {CC} -V_ {TH} -V_ {BE} ^ {'}} {R_ {TH} + \ left (\ beta + 1 \ right) \ cdot R_E} \ end {align *} $$

Dados tus valores, obtengo \ $ I_B ^ {'} \ approx 9.6 \: \ mu \ textrm {A} \ $.

El inicio de la entrada superficial en la saturación ocurre justo cuando \ $ V_ {BC} = 0 \: \ textrm {V} \ $ o cuando \ $ V_B = V_C \ $:

$$ \ begin {align *} V_C & = V_B \\\\ I_C \ cdot R_L & = V_ {TH} + I_B ^ {'} \ cdot R_ {TH} \\\\ \ beta \: I_B ^ {'} \ cdot R_L & = V_ {TH} + I_B ^ {'} \ cdot R_ {TH} \\\\ \ por lo tanto \ quad R_L & = \ frac {V_ {TH} + I_B ^ {'} \ cdot R_ {TH}} {\ beta \: I_B ^ {'}} = \ frac {1} {\ beta} \ izquierda (R_ {TH} + \ frac {V_ {TH}} {I_B ^ {'}} \ derecha) \ end {align *} $$

De donde obtengo \ $ R_L \ approx 2130 \: \ Omega \ $.

La ganancia máxima para la etapa CE es VDD / 0.026; la corriente es irrelevante (dentro de lo razonable).

Considera una batería de 26 voltios. Puede operar a 1mA (por lo tanto, 24Kohm permite 2 voltios a través del Vce, por lo que el bipolar está apenas fuera de saturación), o 10mA o 100mA, o 1uA (con 24,000,000 Ohm Rcollector)