Efecto de cambiar la longitud del transistor N-mos de un inversor en el retardo de propagación

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digamos que queremos verificar el tiempo que tarda nuestra fuente Vdd en cargar un condensador a través de una red de inversores. Cambiar el ancho del transistor P-mos hará que fluya más corriente, minimizando así el tiempo de carga. ¿Qué efecto cambiará la longitud de un N-mos en el retraso de propagación? gracias,

    

1 respuesta

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Después de comprobarlo un poco, llegué a la siguiente respuesta:

Aumentar la longitud del N-mos significa que la corriente tomará más tiempo para pasar el túnel, efectivamente digamos que la corriente es más baja = la resistencia del N-mos es más alta. Eso significa que la parte de P-mos que tiene una resistencia relativa más baja querrá subir la tensión hacia ella, moviendo el gráfico VTC un poco hacia la derecha, ya que el N-mos tendrá que invertir una mayor tensión para superar la P-mos y para empezar a bajar el voltaje. dado que el VTC se ha movido a la derecha, esperamos que los valores de Vil, Vih se hagan más grandes, pero los valores de Voh, Vol no cambien significativamente. Pasando a la fórmula del margen de ruido, observamos que mientras el NMh disminuye, el NMl aumenta y el margen de ruido general disminuye.

    

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